过渡金属硫族化合物（Transition Metal Dichalcogenides,TMDs）是一类重要的半导体材料。其具有较窄的带隙,高的载流子迁移效率,以及较宽波长范围的光吸收特性,因而更易于开发性能优良的光电器件。相比于化学气相沉积、机械剥离等制备方法,基于溶液的合成方法,如水热法或溶剂热法,是一种低成本、易操作且易制备出大面积、均匀稳定薄膜的方法。然而目前为止,通过此类方法制备得到的硒化物绝大多数都是粉末,后续需要通过旋涂方式制作薄膜,以便制作光电器件。溶液法直接合成过渡金属硒化物薄膜可简化器件制作流程,提供大面积、高质量的薄膜材料,受到研究人员的关注。本论文中,我们致力于运用溶剂热法在不同基底上制备出过渡金属硒化物薄膜,并且利用制备得到的硒化物开发性能良好的光探测器件。同时,也尝试了采用金属硒化物薄膜作为染料敏化太阳能电池的对电极。研究的主要内容如下:1.利用溶剂热法在FTO玻璃、石英片衬底上直接制备出了均匀稳定的高质量WSe₂薄膜。制备得到的WSe₂薄膜由致密、稳定的层状纳米片组成。FTO衬底上的WSe₂薄膜厚度约为700nm,纳米片厚度为10nm,石英片衬底上的薄膜厚度约为1.2μm,纳米片厚度为20nm。此外,使用FTO衬底上的三维石墨烯薄膜作为生长框架,采用溶剂热法在石墨烯上直接生长出WSe₂纳米花,形成WSe₂/rGO复合物薄膜。2.分析了WSe₂薄膜的生长机制,重点研究了去离子水含量、合成温度以及反应时间对WSe₂薄膜的结构与形貌的影响。实验结果表明,去离子水对薄膜的生长具有重要的作用,但是去离子水的含量变化对薄膜的结构与形貌没有产生明显的影响;合成温度对薄膜的生长影响较大,薄膜的厚度随温度的升高显著增大,薄膜致密性和结晶性随温度的升高也逐渐提高;反应时间对薄膜的生长也有一定的影响,薄膜厚度随反应时间的增加而缓慢增大。3.将石英片衬底上制备得到的WSe₂薄膜制作光探测器并进行了光响应性能测试。在532nm激光的激发光源下,测得器件的响应时间为0.16s,光敏度为3.3mA/W;在405nm激光的激发光源下,器件的响应时间为0.7s,光敏度为5.8mA/W。与其他报道的基于溶液法（水热法、溶剂热法等）制备的TMDs光探测器相比,本论文中WSe₂光探测器的性能优越。4.采用溶剂热法分别在FTO衬底上和石英片衬底上制备出了MoSe₂薄膜。在FTO衬底上的MoSe₂薄膜均匀致密,表面平整;石英片衬底上的MoSe₂薄膜展现了层状纳米片的形态,纳米片厚度约为40nm。通过物相结构表征分析,表明了MoSe₂薄膜均为六方晶体结构,且结晶性良好。5.将FTO衬底上制备得到的WSe₂薄膜、WSe₂/rGO复合物薄膜作为对电极组装染料敏化太阳能电池,分别获得了1.69%、3.09%的光电转化效率,小于Pt对电极的7.37%的效率。将MoSe₂薄膜作为对电极组装染料敏化太阳能电池,获得了2.4%的光电转化效率,小于Pt对电极的7.14%的效率。