2012年发现的铋硫基超导体Bi4O4S3和La O1-xFxBi S2作为新型层状超导体引起了科学家的广泛关注。对于铋硫基超导体,科学家们认为载流子掺杂、面内化学压力或高压效应都有可能是诱导或增强超导电性的原因。本文主要对新型层状Bi SSe基材料La1-xOBi SSe和Ce1-xOBi SSe的制备工艺、结构、磁性和电输运性质进行表征和研究。首先,探究了采用固相反应法制备母相La OBi SSe多晶样品的工艺参数,获得了母相多晶样品的最佳烧结温度为700℃和保温时间为30 h。在此基础上,制备了一系列氧空位掺杂的La O1-xBi SSe（x=0,0.05,0.1,0.15,0.2）多晶样品,对其晶体结构、微观形貌、元素的含量、电输运性质以及常压与高压下的磁性分别进行研究。结果表明引入氧空位使La OBi SSe体系晶格收缩,氧空位的极限浓度约为10%;金属—半导体转变随着氧空位浓度的增加明显地受到了抑制,虽然没出现超导转变,却有效地降低了体系的电阻率。其次,参考La O1-xBi SSe多晶样品的制备工艺,在探究母相Ce OBi SSe的最佳制备工艺过程中,发现降低第二次烧结温度可以减少Bi2Se3杂质的生成,于是采用两次烧结温度分别是700℃和600℃、两次保温时间均为30 h的工艺,制备出一系列纯度较高的Ce OBi S2-xSex（x=0-1）和Ce O1-xBi SSe（x=0-0.2）多晶样品。接着,从局部结构的角度探究了Ce OBi S2-xSex（x=0-1）体系的晶体结构,结果表明Se替代S所产生的局部面内无序被增加的面内化学压力所抑制,并且这种抑制作用在Ce OBi SSe体系达到最好的效果,有利于进一步探究引入氧空位对Ce OBi SSe结构及物性的影响。最后,对Ce O1-xBi SSe（x=0-0.2）体系的晶体结构和电输运性能进行了分析,结果表明与La O1-xBi SSe体系不同的是,氧空位使Ce OBi SSe体系晶格膨胀,将其归因于面内Bi-Ch1和层间Bi-Ch1距离的增加。并且氧空位抑制了母相Ce OBi SSe中的CDW现象,出现了金属—半导体转变,并有效地降低了体系的电阻率,改善了样品的导电性能。