有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistor)气体传感器作为近年来广受人们关注的一种新型的气体传感器,具有体积小、制备工艺简单、集成度高等优点备受人们的青睐。酞菁铜有机半导体材料较其他材料更具优良的热稳定性与化学稳定性,并有还具备出色的气敏特性,因此很多研究都落在了将其应用于气体传感器上。本文以酞菁铜作为有机半导体材料,开展了对有机场效应晶体管气体传感器的制备工艺及应用的基础研究。主要内容如下:制备了叉指电极结构的酞菁铜有机场效应晶体管气体传感器,对制备过程进行详细的描述,并通过对酞菁铜薄膜进行280℃、300℃和320℃的退火处理比较器件之间的性能差异。采用牺牲层技术制备具有空气绝缘层结构的有机场效应晶体管气体传感器,并且最终确定了空气绝缘层有机场效应晶体管气体传感器的制备工艺条件。采用叉指电极结构和空气绝缘层结构的有机场效应晶体管分别对NO2气体进行测试,并将两种不同结构器件的测试结果进行对比。