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碳纳米管具有优良的电学及热学性能,这些特性使其成为了下一代集成电路互连材料的候选之一。但是碳纳米管实际应用到半导体集成电路中还有很多问题没有解决,如碳纳米管的低温生长,如何提高碳纳米管的束密度等问题。如何使碳纳米管在低温下定向高密度生长是目前碳纳米管在集成电路中应用亟需解决的问题。本文采用PECVD方法生长碳纳米管,通过扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱(Raman spectroscopy)等先进手段对样品进行了测试和表征。主要研究了制备碳纳米管采用的