新型宽禁带半导体器件氮化镓晶体管相比传统硅器件在提高变换器频率、功率密度上有明显优势,拥有广阔的应用前景。本文针对高频高可靠性驱动展开研究,研究PWM波形畸变补偿技术,具有重要的理论意义和工程价值。本文开展了以下几个方面的研究工作:(1)氮化镓器件的开关速度更快、驱动击穿电压更低,相比传统器件在驱动电路设计中面临更多挑战。本文研制了一台双脉冲测试平台,研究驱动芯片的硬件需求,优化驱动电路布局,分析开关过程,提高损耗算法精度,最后对选用器件展开动态特性和开关损耗的测试;(2)在高频桥式电路中存在占空比畸变问题,传统前馈型补偿方案在高频下难以实现。选用单周期控制方案实现占空比实时补偿,对传统单周期控制方案进行仿真,分析补偿失效模式的原因,提出了基于单周期控制的调制器闭环方案;(3)基于全桥逆变器,采用模数结合的方式实现单周期控制方案的验证,给出了减少单周期控制回路的延时的硬件电路设计方法。研制了一台270V输入,115VAC/1200VA输出的原理样机,通过仿真和实验验证了理论分析和工程设计的可行性。