WO3薄膜是一种重要的功能材料，因具有良好的电致变色、气致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用，尤其是其气致变色性能在气体传感器方面有广阔的应用前景。本文采用反应磁控溅射法和溶胶凝胶法制备了均匀致密的三氧化钨薄膜材料，对它的光学性质、表面形态、结构等进行了深入的研究。首先在扼要概述了三氧化钨薄膜的制备方法、应用的基础上，介绍分析了用各种溶胶凝胶法制备三氧化钨薄膜材料的原理、工艺流程及进展，同时详细的介绍了反应磁控溅射法制备三氧化钨薄膜的机理、特点、要求、对薄膜性能影响较大的因素，还简要介绍了正交试验设计方法的概念和优点。通过比较各种方法的优缺点，本文采用反应磁控溅射法和溶胶凝胶法中的钨粉过氧化聚钨酸法制备三氧化钨薄膜材料。 本文详细介绍了钨酸过氧化聚钨酸法和反应磁控溅射法制备三氧化钨薄膜所需的主要试剂、主要仪器、准备工作、试验步骤，并列出了两种方法的试验流程图，同时还列出了正交试验因素水平表和正交试验设计表。 本文分别用原子力显微镜、双束紫外可见分光光度计、X-衍射仪等表征了用以上两种方法制备的三氧化钨薄膜。原子力显微镜测试结果表明：反应磁控溅射法制备的三氧化钨薄膜样品表面比溶胶凝胶法制备的样品表面更均匀致密，且前者制备的样品分子趋于平面结构，而后者制备的样品分子趋于四面体结构。透光率测试结果表明：两种方法得到的样品的透光率比较接近，但是磁控溅射法样品对不同波长的吸收差异大于溶胶凝胶法样品；在200℃下退火处理后样品的透射光谱几乎没有变化，但在300℃以上退火处理后样品的透光率明显下降，且退火温度越高透光率下降的越多。X－衍射结果表明：样品在350℃下退火处理后得到的谱图中没有明显尖锐衍射峰，说明都是非晶态；样品在350～400℃温度范围内退火后得到的谱图中尖锐晶体衍射峰强度越来越大，说明逐渐转变为晶态；样品在450～500℃范围内退火处理后晶体衍射峰在强度增大的同时，数量也在增多，因为该温度处理下样品逐渐由一种晶系转变为两种晶系共存。 这两种方法制备的三氧化钨薄膜都均匀致密，透光性能好，为制备掺杂三氧化钨气敏材料打下了坚实的基础。