基于密度泛函理论的第一性原理计算已广泛用于材料科学,该计算在电极材料的设计和优化中发挥着越来越重要的作用。因此,为了从微观角度深入了解材料的本质从而解决Li₂FeSiO₄低电导率等缺陷,本文采用第一性原理计算了空间群为P2₁结构的Li₂FeSiO₄材料的晶胞参数、电子电导和离子扩散能垒。然后在此基础上进行Fe位单掺杂Mn和双掺杂Mn/Ni两种改性研究,并对比了掺杂改性对材料电化学性能的影响。利用GGA+U方法,算得空间群为P2₁/n的Li₂FeSiO₄晶体带隙为3.047 eV,表明该材料为半导体。Li⁺沿着[101]晶面方向的扩散能垒为0.79 eV,脱锂态晶胞体积膨胀均较大。此外,计算得第一个锂离子的脱出电压为3.47 V,对应的氧化还原反应对Fe²⁺/Fe³⁺;而在第二个锂离子脱出时,O^2-失去电子,导致电压过高为4.82 V,Li₂FeSiO₄材料第二个锂离子较难脱/嵌。以Li₂FeSiO₄为基础,建立了Fe位掺杂25%Mn的Li₂Fe_0.75Mn_0.25SiO₄晶胞,对比了掺杂前后的晶胞参数,电子结构和锂离子扩散能垒。掺入Mn导致了自旋向下的Fe-3d带向低能区的移动,Li₂Fe_0.75Mn_0.25SiO₄带隙下降为2.950 eV,[101]晶面方向能垒减小为0.77 eV。掺Mn材料中,脱锂态晶胞体积变化依然很大,脱出一个锂离子的平均电压增加为3.74 V,相应地Mn²⁺也参与了反应;脱出1.5个锂离子时,平均电压增加为4.87 V,单掺锰依然没有解决其大于1个锂离子脱出时电压过高的问题。Mn/Ni双掺杂材料中,导带低能区出现的Ni-3d轨道导致Li₂Fe_0.5Mn_0.25Ni_0.25SiO₄的带隙减小为1.130 eV,锂离子扩散能垒减小为0.70 eV。脱锂态晶胞体积膨胀仍然较大,由于在整个脱锂过程中Ni²⁺都参与了电化学反应,第一阶段（2≥x≥1）的平均脱出电压增加为4.09 V,第二阶段（1≥x≥0.5）的平均脱出电压减小为4.79 V,使得第二个锂离子的脱出相对容易。