大尺寸ZnGeP2单晶垂直梯度冷凝法生长与性能表征

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cys_1688

【摘要】

：

本论文对垂直梯度冷凝法生长磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶进行了研究：采用双温区合成法,在自制的高精度多温区管式炉进行多晶宏量合成,单次合成量超过500g；根据晶体特性,设计特定温场,采用垂直梯度冷凝法(VGF)在自制的单晶生长炉中进行ZGP单晶定向生长,温度梯度1-2℃/cm,生长速度0.2-1.0mm/h,获得完整单晶体,最大尺寸可达φ55×130mm,晶体位错密度为102.

【作者】

：

唐明静袁泽锐张羽窦云巍方攀陈莹尹文龙康彬

【机构】

：

中国工程物理研究院化工材料研究所四川省新材料研究中心

【出处】

：

第17届全国晶体生长与材料学术会议

【发表日期】

：

2015年5期

【关键词】

：

大尺寸ZnGeP2单晶

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