论文部分内容阅读
提出了一种新的CMOS LDO原理和电路设计方案,实现了外接低串联等效电阻的输出负载电容,采用内部频率补偿电路实现了环路稳定,可实现外接多层陶瓷电容,极大地降低成本和改善瞬态响应,采用SMIC 0.35μm工艺流片验证了该方法的可行性,瞬态响应的测试结果表明,当负载电流为1mA到100mA的阶跃电流时,LDO输出电压的过冲小于20mV。