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[期刊论文] 作者：公延宁,汪乐,
来源：太阳能学报 年份：1999
由ｐ＾＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８＝０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工......
[会议论文] 作者：公延宁,汪乐,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
由GaAs和高Al组分Al、Ga1-xAS（x=0.8~0.9）构成的异质薄膜体系是许多光电器件中的常规结构。对该异质结构的GaAs和AlGaAs的选择性腐蚀工艺是器件制备过程中的一道关键工序。该文...
[期刊论文] 作者：公延宁,张淑玲,
来源：腐蚀与防护 年份：1995
1 前言 在众多的金属表面转化处理工艺中,磷化处理以其工艺简单、易操作、成本低、种类多而广泛应用于涂装前处理、防锈、减摩润滑、冷加工、电绝缘等领域。 磷化液的基...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ，根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[会议论文] 作者：公延宁;莫金玑;,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
文本以常压MOCVD（AP-NOCVD）系统为对象、分析了AlCaAs生长过程中控制多数对气相Al组分含量量XAl和固相Al组分含量X之间关系的影响。结果表明，在采用AP-MOCVD系统生长AlCaAs时，在...
[期刊论文] 作者：张树霞,刘小光,公延宁,,
来源：石油化工腐蚀与防护 年份：1993
本文用金属材料预钝化处理、金属表面涂覆层、添加缓蚀剂及阳极保护方法,控制钛在硫酸铝溶液中的腐蚀。试验结果表明,上述4种方法对钛在该体系中腐蚀都有一定控制作用,以阳极...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,夏冠群,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,夏冠群,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[期刊论文] 作者：公延宁,汪乐,莫金玑,夏冠群,
来源：太阳能学报 年份：1999
由p+-GaAs帽层和p-AlxGa1-xAs(x=0@8-0.9)窗口层构成的异质薄膜体系是GaAs太阳电池器件中的常规结构.对该异质结构的只腐蚀GaAs而不腐蚀AlGaAs的选择性腐蚀工艺是GaAs太阳电...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,汪乐,夏冠群,
来源：Rare Metals 年份：1999
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[期刊论文] 作者：梁宗存,许颖,公延宁,沈辉,李仲明,李戬洪,
来源：太阳能学报 年份：2002
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带(SSP),对颗粒硅带表面形态进行分析.以SSP为衬底,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法生长多晶硅薄膜,并以此制作出效率为2.93%的颗粒硅带多晶硅...
[会议论文] 作者：沈辉,梁宗存,公延宁,李戬洪,许颖,罗欣莲,励旭东,黎雪梅,李仲明,
来源：中国第六届光伏会议 年份：2000
本文分析了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池研究的可行性和必要性,并以颗粒硅带为衬底,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法生长多晶硅薄膜,以此制备出转换效率为2.4℅的...
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